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マイクロ波デバイス基板 FLM5964-4C C-Band 内部整合High Power GaAs FET 富士通
マイクロ波デバイス基板 FLM5964-4C C-Band 内部整合High Power GaAs FET 富士通[浏览Yahoo!拍卖页面]
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商品参数
- 拍卖号： p1136525650
开始时的价格：￥40 (800日元)
个数： 1
最高出价者： - 开始时间： 2024/5/15 16:25:36
结束时间：
提前结束： 有可能
商品成色： 二手 - 自动延长： 会
日本邮费： 中标者承担
可否退货： 不可以
拍卖注意事项
1、【自动延长】：如果在结束前5分钟内有人出价，为了让其他竞拍者有时间思考，结束时间可延长5分钟。
2、【提前结束】：卖家觉得达到了心理价位，即使未到结束时间，也可以提前结束。
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■最大定格
・ドレイン-ソース電圧Vds ： 15V
・ゲート-ソース電圧Vgs ： -5V
・総合電力損失Pt ： 25W
■主要諸元（Typ.値）
・Idss ： 1700ｍA （Vds＝5V、Vgs=0V)
■AC特性
Vds=10V, Ids=0.65Idss, f=5.9-6.4GHz, Zs=Zl=50ohm
・P1dB ： 36.5ｄBm
・G1dB ： 10dB
・効率 ： 37％
デバイスが破壊されていないか調べるために、直流的動作確認しました。
ゲート電圧に対するドレイン電流の状態です。 （写真3参照）
AC特性を検査していませんので動作保証をするものではありません。
この他にも出品しておりますので宜しければご覧ください。
■最大定格
・ドレイン-ソース電圧Vds ： 15V
・ゲート-ソース電圧Vgs ： -5V
・総合電力損失Pt ： 25W
■主要諸元（Typ.値）
・Idss ： 1700ｍA （Vds＝5V、Vgs=0V)
■AC特性
Vds=10V, Ids=0.65Idss, f=5.9-6.4GHz, Zs=Zl=50ohm
・P1dB ： 36.5ｄBm
・G1dB ： 10dB
・効率 ： 37％
デバイスが破壊されていないか調べるために、直流的動作確認しました。
ゲート電圧に対するドレイン電流の状態です。 （写真3参照）
AC特性を検査していませんので動作保証をするものではありません。
この他にも出品しておりますので宜しければご覧ください。